您可以在工业、汽车、医疗、航空航天、国防和通信市场领域的各种高压和大功率应用中使用美高森美的功率 MOSFET。美高森美设计的下一代碳化硅 (SiC) MOSFET 和 SiC 肖特基势垒二极管 (SBD) 具有高重复性非钳位感应开关 (UIS) 功能、出色的栅极氧化物屏蔽和通道完整性，可实现稳健运行。您可以在经受 100K 总电离剂量 (TID) 及更高的最严格的空间环境中使用美高森美的抗辐射 MOSFET。美高森美设计了这些具有毫欧导通电阻的 MOSFET，它们采用各种小尺寸塑料和陶瓷封装。

小信号 MOSFET

美高森美为低功率信号级应用设计了美高森美的小信号 MOSFET 产品，也称为接口 MOSFET。这些应用包括信号放大和电平转换、信号旁路、系统保护或低功率调节（电压和电流调节）。这些 MOSFET 的电阻从几百欧姆到多欧姆的导通电阻不等，并且提供各种小尺寸封装。您可以在从消费类到医疗的各种市场中的各种应用中使用这些小信号设备。

增强模式（常关）

MOSFET 在功率开关中使用垂直 DMOS 结构，并结合了久经考验的坚固栅极氧化工艺。增强型 MOSFET 有两种类型：P 沟道和 N 沟道。所有 MOS 结构的特点，这些器件没有热失控和热引起的二次击穿。您可以将没有本征体二极管的横向 MOSFET 和经常镇流的源极区域用于线性模式运算放大器，其中最普遍的是射频功率放大器（例如，LDMOS）。 

耗尽模式（常开）

这些晶体管还使用横向 DMOS 技术。关键区别在于耗尽型 MOSFET 在 V gs增加时通常开启并被命令关闭。

N 沟道 MOSFET

当栅极相对于源极被拉正时，N 沟道 MOSFET 会得到增强。与 P 沟道 MOSFET 相比，N 沟道 MOSFET 的单位面积 RDS(on) 往往较低。在半桥级中，高侧 N 沟道 MOSFET 必须具有在器件开启时保持栅极电压为正的方法。这需要一个高于轨道的电压，您可以通过使用自举驱动器来获得该电压，该驱动器允许连接到高侧开关源极的飞跨电容器组在低侧开关打开时充电，然后随源极向上飞至握住它或使用电隔离驱动器。  

P 沟道 MOSFET

当栅极相对于源极被拉负时，P 沟道 MOSFET 会得到增强。这在高端开关应用中通常是有利的，因为该电路不需要隔离或自举驱动器，而是需要一个简单的钳位来保护栅极氧化物和下拉电路或驱动器。P 沟道 MOSFET 在低功率高侧开关、正轨上的热插拔应用、电子继电器、电子断路器和一般直流开关中很受欢迎。