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APTML20UM18R010T1AG 零件图片（仅供参考）

APTML20UM18R010T1AG
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APTML20UM18R010T1AG 规格参数

  • 制造商产品型号：APTML20UM18R010T1AG
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：MOSFET N-CH 200V 109A SP1
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：200V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：109A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：19 毫欧 @ 50A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9880pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：480W（Tc）
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：底座安装
  • 器件封装：SP1
  • APTML20UM18R010T1AG，Microsemi（美高森美，Microchip）产品一站式供应商。
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APTML20UM18R010T1AG 基本参数：

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