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APTGF30H60T1G 零件图片（仅供参考）

APTGF30H60T1G
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APTGF30H60T1G 规格参数

  • Microsemi美高森美完整型号：APTGF30H60T1G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 配置：全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：42A
  • 功率 - 最大值：140W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：250A
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：1.35nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：是
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP1
  • 供应商器件封装：SP1
  • APTGF30H60T1G，Microsemi（美高森美，Microchip）产品一站式供应商。
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APTGF30H60T1G 基本参数：

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