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零件图片（仅供参考）
APT75GN60LDQ3G
规格参数
  • Microsemi美高森美完整型号：APT75GN60LDQ3G
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 600V 155A 536W TO264
  • 系列：-
  • IGBT 类型：沟道和场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：155A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：225A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.85V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值：536W
  • Switching Energy：2500J （开）， 2140J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：485nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：47ns/385ns
  • Test Condition：400V, 75A, 1 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-264 [L]
  • APT75GN60LDQ3G，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT75GN60LDQ3G
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 155A 536W TO264
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询APT75GN60LDQ3G的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    A3P250-2QNG132
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    MXLPLAD15KP7.0A
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