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零件图片（仅供参考）
APT54GA60B
规格参数
  • Microsemi美高森美完整型号：APT54GA60B
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 600V 96A 416W TO-247
  • 系列：POWER MOS 8
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：96A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：161A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，32A
  • 功率 - 最大值：416W
  • Switching Energy：534J （开）， 466J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：158nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：17ns/112ns
  • Test Condition：400V, 32A, 4.7 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247 [B]
  • APT54GA60B，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT54GA60B
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 96A 416W TO-247
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询APT54GA60B的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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