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零件图片（仅供参考）
APT43GA90B
规格参数
  • Microsemi美高森美完整型号：APT43GA90B
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 900V 78A 337W TO-247
  • 系列：POWER MOS 8
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：900V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：78A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：129A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.1V @ 15V，25A
  • 功率 - 最大值：337W
  • Switching Energy：875J （开）， 425J （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：116nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：12ns/82ns
  • Test Condition：600V, 25A, 4.7 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247 [B]
  • APT43GA90B，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT43GA90B
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT 900V 78A 337W TO-247
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询APT43GA90B的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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    M2S090T-1FCSG325I
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    片上系统 (SoC)
    1N4752P/TR8
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    单齐纳二极管
    SMBJ4760CE3/TR13
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    二极管 - 齐纳 - 单
    MAPLAD15KP7.0CAE3
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    二极管TVS
    MXLP5KE7.0CAE3
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    A1280A-PL84C
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    嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列）
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