APT25SM120S（Microsemi 美高森美，晶体管 - FET，MOSFET

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：APT25SM120S

制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯收购）

描述：SICFET N-CH 1200V 25A D3

系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

产品系列：-

零件状态：停产

FET类型：N 通道

技术：SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）：1200V

25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-

不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：175 毫欧 @ 10A，20V

不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：72nC @ 20V

Vgs（最大值）：-

不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-

FET功能：-

功率耗散（最大值）：175W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

器件封装：D3

APT25SM120S，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。

基本参数：

电子零件型号：APT25SM120S

原始制造厂商：Microsemi（美高森美）

技术标准参数：SICFET N-CH 1200V 25A D3

产品应用分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

点击此处查询APT25SM120S的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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