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零件图片（仅供参考）
APT102GA60L
规格参数
  • Microsemi美高森美完整型号：APT102GA60L
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：IGBT 600V 183A 780W TO264
  • 系列：-
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：183A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：307A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 15V，62A
  • 功率 - 最大值：780W
  • Switching Energy：1.354mJ （开）, 1.614mJ （关）
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：294nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：28ns/212ns
  • Test Condition：400V, 62A, 4.7 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-264 [L]
  • APT102GA60L，Microsemi（美高森美）产品一站式供应商。
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    基本参数：
  • 电子零件型号：APT102GA60L
  • 原始制造厂商：Microsemi（美高森美）
  • 技术标准参数：IGBT 600V 183A 780W TO264
  • 产品应用分类：单路IGBT
  • 点击此处查询APT102GA60L的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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